DMC2020USD-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMC2020USD-13
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7.8A, 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1149pF @ 10V
Puissance - Max	1.8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMC2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT-363	Détails
DMC2004LPK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN	Détails
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DMC2004VK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT-563	Détails
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DMC201010R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5	Détails
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DMC2020USD	DIODES	DMC2020USD DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMC2020USD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO	Détails