DMC1030UFDBQ-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMC1030UFDBQ-7
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23.1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1003pF @ 6V
Puissance - Max	1.36W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	U-DFN2020-6 (Type B)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMC1015UPD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8	Détails
DMC1016UPD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8	Détails
DMC1017UPD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD	Détails
DMC1018UPD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060	Détails
DMC1028AE	PKI	DMC1028AE PKI PLCC-8.. New Original Stocks	Détails
DMC1028UFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN	Détails
DMC1028UFDB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN	Détails
DMC1029UFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN	Détails
DMC1029UFDB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN	Détails
DMC1030UFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6	Détails