DGD0507AFN-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DGD0507AFN-7
État de la pièce	Active
Configuration pilotée	Half-Bridge
Type de canal	Independent
Nombre de pilotes	2
Type de porte	N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation	8V ~ 14V
Tension logique - VIL, VIH	0.8V, 2.4V
Courant - sortie de crête (source, évier)	1.5A, 2A
Type d'entrée	Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap)	50V
Rise / Fall Time (Typ)	16ns, 18ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	10-WFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	W-DFN3030-10
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DGD0227S8-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO 2.5K	Détails
DGD0503FN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DVR HV 10-WDFN	Détails
DGD0504FN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DVR HV 10-WDFN	Détails
DGD05062FN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10	Détails
DGD0506AFN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10	Détails
DGD0506AM10-13	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP	Détails
DGD0506FN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DVR HV W-DFN3030-10	Détails
DGD0507AFN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10	Détails
DGD0507FN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DVR HV W-DFN3030-10	Détails
DGD05463FN-7	Diodes Incorporated	IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10	Détails