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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › S29WS512R0SBHW200E
S29WS512R0SBHW200E

S29WS512R0SBHW200E - Cypress Semiconductor Corp

Numéro d'article
S29WS512R0SBHW200E
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
IC FLASH NOR 84FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
S29WS512R0SBHW200E Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4390 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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S29WS512R0SBHW200E Description détaillée

Numéro d'article S29WS512R0SBHW200E
État de la pièce Last Time Buy
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NOR
Taille mémoire 512Mb (32M x 16)
Fréquence d'horloge 104MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 60ns
Temps d'accès 80ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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