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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › S29GL512S12DHBV10
S29GL512S12DHBV10

S29GL512S12DHBV10 - Cypress Semiconductor Corp

Numéro d'article
S29GL512S12DHBV10
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
S29GL512S12DHBV10 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
22037 pcs
Prix ​​de référence
USD 8.30677/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour S29GL512S12DHBV10

S29GL512S12DHBV10 Description détaillée

Numéro d'article S29GL512S12DHBV10
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NOR
Taille mémoire 512Mb (32M x 16)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 60ns
Temps d'accès 120ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.65V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 64-LBGA
Package de périphérique fournisseur 64-FBGA (9x9)
Poids -
Pays d'origine -

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