S26KS512SDABHN030

S26KS512SDABHN030 - Cypress Semiconductor Corp

Numéro d'article
S26KS512SDABHN030
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
IC 512M FLASH MEMORY
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
S26KS512SDABHN030.pdf
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
170 pcs
Prix ​​de référence
USD 14.57/pcs
Notre prix
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S26KS512SDABHN030 Description détaillée

Numéro d'article S26KS512SDABHN030
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NOR
Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge 100MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 96ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 24-VBGA
Package de périphérique fournisseur 24-FBGA (6x8)
Poids -
Pays d'origine -

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