CY7C10612GN30-10ZSXIT

CY7C10612GN30-10ZSXIT - Cypress Semiconductor Corp

Numéro d'article
CY7C10612GN30-10ZSXIT
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
ASYNC SRAMS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
262 pcs
Prix ​​de référence
USD 100.7424/pcs
Notre prix
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CY7C10612GN30-10ZSXIT Description détaillée

Numéro d'article CY7C10612GN30-10ZSXIT
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire SRAM
La technologie SRAM - Asynchronous
Taille mémoire 16Mb (1M x 16)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 10ns
Temps d'accès 10ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.2 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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