| Numéro d'article | FCP1913H823J-E2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Capacitance | 0.082µF |
| Tolérance | ±5% |
| Tension nominale - AC | - |
| Tension nominale - DC | 50V |
| Matériau diélectrique | Polyphenylene Sulfide (PPS) |
| ESR (résistance série équivalente) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 1913 (4833 Metric) |
| Taille / Dimension | 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.083" (2.10mm) |
| Résiliation | Solder Pads |
| Espacement de plomb | - |
| Applications | High Frequency, Switching |
| Caractéristiques | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Détails |
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FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Détails |
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FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Détails |
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FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Détails |
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FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | Détails |
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FCP190N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | Détails |
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FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I | Détails |
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FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Détails |
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FCP1913H104G-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Détails |
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FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913 | Détails |
