SB320E-G - Comchip Technology

Numéro d'article	SB320E-G
État de la pièce	Active
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Courant - Rectifié moyen (Io)	3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	500mV @ 3A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	500µA @ 20V
Capacitance @ Vr, F	250pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	DO-201AD, Axial
Package de périphérique fournisseur	DO-201AD
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 125°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SB3-D	Eaton	FUSE BLOCK CART 690V 630A DIN	Détails
SB30-03P	SANYO	SB30-03P SANYO SOT-89 New Original Stocks	Détails
SB30-100AM	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails
SB30-100ASMD	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails
SB30-100MA	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails
SB30-100MSMD	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails
SB30-100RM	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails
SB30-100RSMD	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails
SB30-40-258AM	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO258 METAL PACKAGE FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails
SB30-40-258M	SEME-LAB	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO258 METAL PACKAGE FOR HI-REL APPLICATIONS	Détails