GBJ2501-04-G - Comchip Technology

Numéro d'article	GBJ2501-04-G
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io)	4.2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1V @ 12.5A
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 100V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, GBJ
Package de périphérique fournisseur	GBJ
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GBJ20005	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 20A GBJ	Détails
GBJ20005-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 20A GBJ	Détails
GBJ20005-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 20A 50V GBJ	Détails
GBJ20005TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A GBJ	Détails
GBJ20005_1	DIODES	20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	Détails
GBJ2001	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 100V 20A GBJ	Détails
GBJ2001-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 100V 20A GBJ	Détails
GBJ2001TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 20A GBJ	Détails
GBJ2002	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 200V 20A GBJ	Détails
GBJ2002-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 200V 20A GBJ	Détails