CJ3139KDW-G

CJ3139KDW-G - Comchip Technology

Numéro d'article
CJ3139KDW-G
Fabricant
Comchip Technology
Brève description
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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219523 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1164/pcs
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CJ3139KDW-G Description détaillée

Numéro d'article CJ3139KDW-G
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 16V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363
Poids -
Pays d'origine -

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