| Numéro d'article | 1N973B TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 500mW |
| Impédance (Max) (Zzt) | 58 Ohm |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 25.1V |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-35 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
1N90 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Détails |
|
1N903A | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N904 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N904A | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N905 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N905A | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N906 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N906A | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N907 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
|
1N907A | EXSHINE | silicon diode | Détails |
