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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › NESG2101M05-A
NESG2101M05-A

NESG2101M05-A - CEL

Numéro d'article
NESG2101M05-A
Fabricant
CEL
Brève description
TRANS NPN 2GHZ M05
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NESG2101M05-A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
NESG2101M05-A.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4478 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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NESG2101M05-A Description détaillée

Numéro d'article NESG2101M05-A
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 5V
Fréquence - Transition 17GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gain 11dB ~ 19dB
Puissance - Max 500mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 15mA, 2V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-343F
Package de périphérique fournisseur M05
Poids -
Pays d'origine -

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