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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › NE685M13-A
NE685M13-A

NE685M13-A - CEL

Numéro d'article
NE685M13-A
Fabricant
CEL
Brève description
TRANSISTOR NPN 2GHZ M13
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NE685M13-A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
NE685M13-A.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3504 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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NE685M13-A Description détaillée

Numéro d'article NE685M13-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 6V
Fréquence - Transition 12GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gain -
Puissance - Max 140mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-3
Package de périphérique fournisseur M13
Poids -
Pays d'origine -

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