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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - RF › NE3516S02-A
NE3516S02-A

NE3516S02-A - CEL

Numéro d'article
NE3516S02-A
Fabricant
CEL
Brève description
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NE3516S02-A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
NE3516S02-A.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3733 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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NE3516S02-A Description détaillée

Numéro d'article NE3516S02-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor N-Channel GaAs HJ-FET
La fréquence 12GHz
Gain 14dB
Tension - Test 2V
Note actuelle 60mA
Figure de bruit 0.35dB
Actuel - Test 10mA
Puissance - Sortie 165mW
Tension - Rated 4V
Paquet / cas 4-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur S02
Poids -
Pays d'origine -

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