TP2635N3-G

TP2635N3-G - Microchip Technology

Numéro d'article
TP2635N3-G
Fabricant
Microchip Technology
Brève description
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TP2635N3-G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2255 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.52/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TP2635N3-G

TP2635N3-G Description détaillée

Numéro d'article TP2635N3-G
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 350V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 180mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 300mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-92-3
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TP2635N3-G