TN2540N3-G-P002 - Microchip Technology

Numéro d'article	TN2540N3-G-P002
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	175mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	125pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TN2540-600G	STMicroelectronics	SCR 25A 40MA 600V D2PAK	Détails
TN2540-600G-TR	STMicroelectronics	SCR 25A 40MA 600V D2PAK	Détails
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