TN2524N8-G - Microchip Technology

Numéro d'article	TN2524N8-G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	240V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	360mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	125pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-243AA (SOT-89)
Paquet / cas	TO-243AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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