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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › LP1030DK1-G
LP1030DK1-G

LP1030DK1-G - Microchip Technology

Numéro d'article
LP1030DK1-G
Fabricant
Microchip Technology
Brève description
MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
LP1030DK1-G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4367 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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LP1030DK1-G Description détaillée

Numéro d'article LP1030DK1-G
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 Ohm @ 20mA, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10.8pF @ 25V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-74A, SOT-753
Package de périphérique fournisseur SOT-23-5
Poids -
Pays d'origine -

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