AOT414 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOT414
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.6A (Ta), 43A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 50V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.9W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AO	Laird Technologies IAS	ACCY MISC AB ANTENNA	Détails
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