AOT20C60PL - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOT20C60PL
État de la pièce	Last Time Buy
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3607pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	463W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AOT20B65M1	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT 650V 20A TO220	Détails
AOT20C60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 20A TO263	Détails
AOT20C60L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 20A TO263	Détails
AOT20C60PL	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH	Détails
AOT20N25L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 250V 20A TO220	Détails
AOT20N60L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 20A TO220	Détails
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