AOI442 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOI442
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7A (Ta), 37A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.1W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-251A
Paquet / cas	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AO	Laird Technologies IAS	ACCY MISC AB ANTENNA	Détails
AO028	MICROCHI	AO028 MICROCHI SOP8 New Original Stocks	Détails
AO1-X0-19-733-5F3-D	Carling Technologies	CIR BRKR MAG-HYDR	Détails
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