AOH3106 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOH3106
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	185pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-223
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AOH3106	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 100V 2A SOT223	Détails
AOH3110	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 100V 1A SOT223	Détails
AOH3254	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4	Détails