AO6601_001 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AO6601_001
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.4A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	285pF @ 15V
Puissance - Max	1.15W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AO6601	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP	Détails
AO6601L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 6TSOP	Détails
AO6601_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP	Détails
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AO6602L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP	Détails
AO6602_DELTA	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 6TSOP	Détails
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AO6604L_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP	Détails