AO4818B - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AO4818B
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	888pF @ 15V
Puissance - Max	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AO4202	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC	Détails
AO4202L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC	Détails
AO4202_120	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 8SOIC	Détails
AO4240	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 40V 24A 8SOIC	Détails
AO4260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC	Détails
AO4262E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 16.5A 8SO	Détails
AO4264	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC	Détails
AO4264E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO	Détails
AO4264_101	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO	Détails
AO4264_DELTA	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO	Détails