AO4800L

AO4800L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article
AO4800L
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3754 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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AO4800L Description détaillée

Numéro d'article AO4800L
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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