AS4C32M16D1-5BIN - Alliance Memory, Inc.

Numéro d'article	AS4C32M16D1-5BIN
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - DDR
Taille mémoire	512Mb (32M x 16)
Fréquence d'horloge	200MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	15ns
Temps d'accès	700ps
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.3 V ~ 2.7 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	60-TFBGA
Package de périphérique fournisseur	60-TFBGA (13x8)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Détails
AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Détails
AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Détails
AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Détails
AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Détails
AS4C32M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Détails
AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Détails
AS4C32M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Détails
AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Détails
AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Détails