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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › ALD110900PAL
ALD110900PAL

ALD110900PAL - Advanced Linear Devices Inc.

Numéro d'article
ALD110900PAL
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
ALD110900PAL Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
ALD110900PAL.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
172 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.19/pcs
Notre prix
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ALD110900PAL Description détaillée

Numéro d'article ALD110900PAL
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 10.6V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 1µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur 8-PDIP
Poids -
Pays d'origine -

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