| Número de pieza | VS-10TQ035-M3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 670mV @ 20A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2mA @ 35V |
| Capacitancia @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-220-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AC |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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VS-100BGQ015HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB | Detalles |
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VS-100BGQ030 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB | Detalles |
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VS-100BGQ030HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | Detalles |
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VS-100BGQ045 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB | Detalles |
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VS-100BGQ045HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB | Detalles |
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VS-100BGQ100 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA | Detalles |
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VS-100BGQ100HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | Detalles |
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VS-100MT060WDF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 121A 462W MTP | Detalles |
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VS-100MT060WSP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT | Detalles |
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VS-100MT160P-P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP | Detalles |
