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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Diodos - Rectificadores
- Simple › UGB8JT-E3/45
UGB8JT-E3/45

UGB8JT-E3/45 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza
UGB8JT-E3/45
Fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
UGB8JT-E3/45 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Diodos - Rectificadores
- Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
36210 pcs
Precio de referencia
USD 0.7067/pcs
Nuestro precio
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UGB8JT-E3/45 Descripción detallada

Número de pieza UGB8JT-E3/45
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) 8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.75V @ 8A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 30µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C
Peso -
País de origen -

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