Número de pieza | SUM110N04-2M1P-E3 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Ta), 110A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18800pF @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 3.13W (Ta), 312W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Peso | - |
País de origen | - |