SUD90330E-GE3

SUD90330E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SUD90330E-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
220650 pcs
Precio de referencia
USD 0.7462/pcs
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SUD90330E-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SUD90330E-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 35.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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