SQS850EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQS850EN-T1_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 367350 pcs
Precio de referencia: USD 0.44821/pcs
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Número de pieza	SQS850EN-T1_GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21.5 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2021pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
País de origen	-