SQM50N04-4M0L_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQM50N04-4M0L_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SQM50N04-4M0L_GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 122507 pcs
Precio de referencia: USD 1.344/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SQM50N04-4M0L_GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263 (D²Pak)
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SQM50N04-4M0L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263	Detalles
	SQM50N04-4M1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 50A TO-263	Detalles