SQJA37EP-T1_GE3

SQJA37EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SQJA37EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET P-CHAN 30V PPAK SO-8L
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SQJA37EP-T1_GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
410382 pcs
Precio de referencia
USD 0.40121/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para SQJA37EP-T1_GE3

SQJA37EP-T1_GE3 Descripción detallada

Número de pieza SQJA37EP-T1_GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / caja PowerPAK® SO-8
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SQJA37EP-T1_GE3