SQJ962EP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQJ962EP-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	SQJ962EP-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 25V
Potencia - Max	25W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SQJ960EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 8A	Detalles
SQJ962EP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO	Detalles
SQJ963EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2P-CH 60V SO8	Detalles
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