SQJ956EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQJ956EP-T1_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.48101/pcs
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Número de pieza	SQJ956EP-T1_GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26.7 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1395pF @ 30V
Potencia - Max	34W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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