SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SQD45N05-20L-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
14500 pcs
Precio de referencia
USD 1.877/pcs
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SQD45N05-20L-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SQD45N05-20L-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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