SQ3419EEV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQ3419EEV-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SQ3419EEV-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1065pF @ 20V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSOP
Paquete / caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SQ3419AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP	Detalles
SQ3419EEV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	Detalles
SQ3419EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	Detalles