SQ3418AEEV-T1_GE3

SQ3418AEEV-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SQ3418AEEV-T1_GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SQ3418AEEV-T1_GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
SQ3418AEEV-T1_GE3.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
66486 pcs
Precio de referencia
USD 0.3876/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para SQ3418AEEV-T1_GE3

SQ3418AEEV-T1_GE3 Descripción detallada

Número de pieza SQ3418AEEV-T1_GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SQ3418AEEV-T1_GE3