SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SQ2337ES-T1_GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET P-CHAN 80V SOT23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
110162 pcs
Precio de referencia
USD 0.2455/pcs
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SQ2337ES-T1_GE3 Descripción detallada

Número de pieza SQ2337ES-T1_GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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