SQ2319ADS-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SQ2319ADS-T1_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 110020 pcs
Precio de referencia: USD 0.2455/pcs
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Número de pieza	SQ2319ADS-T1_GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SQ2319ADS-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3	Detalles
	SQ2319ES-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236	Detalles