SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SIZ710DT-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
40731 pcs
Precio de referencia
USD 0.6622/pcs
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SIZ710DT-T1-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SIZ710DT-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 10V
Potencia - Max 27W, 48W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-PowerPair™
Paquete de dispositivo del proveedor 6-PowerPair™
Peso -
País de origen -

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