SISS92DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SISS92DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 291002 pcs
Precio de referencia: USD 0.5658/pcs
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Número de pieza	SISS92DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	173 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 125V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8S
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SISS92DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212	Detalles
	SISS98DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8	Detalles