SISS42DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SISS42DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 207760 pcs
Precio de referencia: USD 0.7925/pcs
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Número de pieza	SISS42DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8S
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SISS40DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212	Detalles
SISS42DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212	Detalles
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