SISA26DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SISA26DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 486927 pcs
Precio de referencia: USD 0.33814/pcs
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Número de pieza	SISA26DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Vgs (Max)	+16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2247pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8S
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SISA24DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8	Detalles
	SISA26DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212	Detalles