SIS990DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIS990DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.4096/pcs
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Número de pieza	SIS990DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 50V
Potencia - Max	25W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIS990DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8	Detalles