SIS435DNT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIS435DNT-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.319/pcs
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Número de pieza	SIS435DNT-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIS435DNT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8	Detalles