SIS334DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIS334DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SIS334DN-T1-GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3936 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SIS334DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.3 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIS330DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8	Detalles
	SIS334DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8	Detalles