SIS322DNT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIS322DNT-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SIS322DNT-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	38.3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIS322DNT-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8	Detalles